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学校:___________姓名：___________班级：___________考号：___________ 1．（25-26高三上·河南·期末）以砷化镓废料(主要成分为、、、)制备半导体光催化剂的工艺流程如图所示。 已知：①碱浸后GaAs转化为、。 ②镓及其化合物与铝及其化合物的性质类似。 ③萃取镓的原理为(水相)+3HR(有机相)(有机相)(水相)。 回答下列问题： (1)基态Ga原子的简化电子排布式为_______，的空间结构为_______。 (2)滤渣Ⅱ的主要成分为_______(填化学式)。 (3)“碱浸”过程中，GaAs发生反应的化学方程式为_______。 (4)“碱浸”过程中，其他条件不变，不同温度下镓浸出率随时间的变化如图所示。“碱浸”的最佳温度和时间为_______(填标号)。 A．70℃、120min B．90℃、120min C．70℃、140min D．90℃、140min (5)已知：一定温度下，溶质在相同体积平衡共存的两液相中的分配系数为。分别用与原溶液等体积的萃取剂依次萃取两次后，水相中Ga元素的残留率为_______(用含的代数式表示)。